💫SK海力士再超三星?

媒体报道透露，得益于在HBM上的成功，SK 海力士半导体业务部门的年度营业利润将首次领先于。这一发展标志着全球半导体行业竞争格局的重大转变，三星在该行业传统上占据主导地位。（具体细节可以参考我们之前的文章《韩国芯片，变天了》）

媒体报道，SK Hynix 刚刚超越了竞争对手三星。这家全球第二大内存芯片制造商已成为业内第一家量产 321 层三层单元 NAND 的公司。这一进步将以实惠的价格实现更高容量的内存。

媒体报道，三星目前正在开发286 层的第九代 3D NAND ，并正在开发 400 层技术。这是通过 2025 年 IEEE 国际固态电路会议议程发布透露。

媒体报道，在这个产品中，他们将使用双堆叠技术——是指将两个 3D NAND 芯片堆叠在一起，即所谓的“串堆叠”。这克服了半导体制造中的难题，例如随着层数的增加，需要在层间蚀刻连接孔。随着孔深度的加深，这些孔的侧面可能会变形，并阻止 NAND 单元正常运行。

媒体报道， Kioxia 的预测是基于过去的趋势推断，并改进了现有的 NAND 单元技术。该公司预计，NAND 芯片密度将在三年内达到 100 Gbit/mm2，存储单元层数为 1,000。要实现这一目标，增长率必须保持在每年1.33 倍。

媒体报道，从事这项研究的团队与三星是一致的。据信，如果取得足够的成果，他们所做的工作将在某个时候直接转移到三星的实验室。

然而，扩展到四位数的层数并非易事。据存储新闻网站Blocks & Files称，使用 3D NAND 实现更高密度不仅仅是在芯片上添加更多层。每层都需要一个暴露的边缘来实现存储单元之间的连接，从而形成阶梯状的芯片轮廓。因此，随着层数的增加，阶梯结构占用的面积会大幅增加，从而抵消部分密度增益。

为了弥补这一点，内存制造商需要在向 QLC NAND 过渡时纵向和横向缩小 NAND 单元，与当今的 TLC 技术相比，每个单元可容纳 4 位。随着层的增加，通道电阻和信号噪声也成为成长的烦恼。

总之，NAND Flash的竞争，方兴未艾。

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